等离子体所参加国家“十二五”科技创新成就展
6月1日至7日,周口等离子,国家“十二五”科技创新成就展在北京展览馆举办,本次展览以“创新驱动发展,科技**未来”为主题,对我国“十二五”期间科技创新取得的重要成就进行展示。习近’平、*、张德江、俞正声、刘云山、王岐山等党和国家**人莅临成就展观摩。
本次“十二五”成就展共有800多件实物、120多件模型、近百项互动项目参加,展示了我国取得的一批重大标志性科技成果,PTI等离子,吸引了众多参观者前来观展体验。等离子体所EAST托卡马克装置及ITER采购包项目成果应邀参加展览,受到了各级**、嘉宾、媒体、公众的欢迎和关注。
等离子去除光致抗蚀剂
在晶片制造工艺中,使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题,在线等离子处理设备,人们发展了几种工艺,在线等离子清洗机,其一是用一个法拉*装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定,典型的刻蚀率为100nm/min,正常需要10min。